基本信息:
- 专利标题： 量子点发光二极管及其制备方法
- 申请号：CN201911423750.9 申请日：2019-12-31
- 公开(公告)号：CN113130837A 公开(公告)日：2021-07-16
- 发明人： 雷卉 , 刘文勇 , 杨一行
- 申请人： TCL集团股份有限公司
- 申请人地址： 广东省惠州市仲恺高新技术开发区十九号小区
- 专利权人： TCL集团股份有限公司
- 当前专利权人： TCL集团股份有限公司
- 当前专利权人地址： 广东省惠州市仲恺高新技术开发区十九号小区
- 代理机构： 深圳中一联合知识产权代理有限公司
- 代理人： 张禹
- 主分类号： H01L51/56
- IPC分类号： H01L51/56 ; H01L51/50
摘要：
本发明提供了一种量子点发光二极管的制备方法，包括以下步骤：提供底电极基板，在所述底电极基板的底电极表面形成第一纳米柱结构；在所述第一纳米柱结构表面结合含有初始配体的量子点，采用目标配体对所述表面结合有初始配体的量子点进行配体交换，制备得到结合有目标配体的量子点薄膜。本发明提供的量子点发光二极管的制备方法，可以得到兼具良好的分散性和电荷注入传输能力的量子点薄膜。
公开/授权文献:
- CN113130837B 量子点发光二极管及其制备方法 公开/授权日：2022-06-21