基本信息:
- 专利标题： 一种纳米材料及其制备方法与量子点发光二极管
- 申请号：CN201911421636.2 申请日：2019-12-31
- 公开(公告)号：CN113130790A 公开(公告)日：2021-07-16
- 发明人： 郭煜林 , 吴龙佳 , 张天朔 , 李俊杰
- 申请人： TCL集团股份有限公司
- 申请人地址： 广东省惠州市仲恺高新技术开发区十九号小区
- 专利权人： TCL集团股份有限公司
- 当前专利权人： TCL集团股份有限公司
- 当前专利权人地址： 广东省惠州市仲恺高新技术开发区十九号小区
- 代理机构： 深圳市君胜知识产权代理事务所
- 代理人： 王永文; 刘芙蓉
- 主分类号： H01L51/50
- IPC分类号： H01L51/50 ; H01L51/54
摘要：
本发明公开一种纳米材料及其制备方法与量子点发光二极管，所述纳米材料包括：ZnO纳米颗粒、结合在所述ZnO纳米颗粒表面的InOOH量子点。本发明通过在ZnO纳米颗粒表面引入InOOH量子点，所述InOOH量子点与ZnO纳米颗粒结合，在ZnO纳米颗粒表面形成ZnO‑InOOH异质结构。所述纳米材料用作电子传输层材料时，该异质结构可优化ZnO成膜质量，同时减少ZnO表面缺陷，减少表面缺陷对电子的俘获，改善电子‑空穴的复合效率，从而提高器件光电性能及稳定性。同时，通过在所述InOOH量子点上连接疏水性有机分子，可以提高器件疏水性，降低环境中水氧对器件性能的影响，从而进一步提高器件光电性能及稳定性。
公开/授权文献:
- CN113130790B 一种纳米材料及其制备方法与量子点发光二极管 公开/授权日：2022-09-27