基本信息:
- 专利标题： 间隙填充材料的等离子体掺杂
- 申请号：CN202011582142.5 申请日：2020-12-28
- 公开(公告)号：CN113130294B 公开(公告)日：2024-10-29
- 发明人： S·萨卡尔 , J·S·布朗 , 秦舒 , Y·J·胡 , F·M·戈德
- 申请人： 美光科技公司
- 申请人地址： 美国爱达荷州
- 专利权人： 美光科技公司
- 当前专利权人： 美光科技公司
- 当前专利权人地址： 美国爱达荷州
- 代理机构： 北京律盟知识产权代理有限责任公司
- 代理人： 王龙
- 主分类号： H01L21/02
- IPC分类号： H01L21/02 ; H10B41/20 ; H10B43/20
摘要：
本申请案涉及间隙填充材料的等离子体掺杂。在用于使用旋涂电介质材料形成电子装置的多种过程中，可通过使用等离子体掺杂使这些材料固化来增强所述旋涂电介质材料的性质。举例来说，可增加所述经固化材料的硬度及杨氏模量。可增强其它性质。使所述旋涂电介质材料固化的所述等离子体掺杂使用一种作为与所离子化的物种相关联的等离子体离子植入物与高能量辐射的组合的机制。另外，可通过选择对应于关于长度的选择变化的所使用的特定掺杂剂的植入物能量及掺杂剂剂量沿着所述旋涂电介质材料的长度修改所述旋涂电介质材料的物理性质。
公开/授权文献:
- CN113130294A 间隙填充材料的等离子体掺杂 公开/授权日：2021-07-16
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |