基本信息:
- 专利标题： 掩模、制造所述掩模的方法及制造显示面板的方法
- 申请号：CN202011611069.X 申请日：2020-12-30
- 公开(公告)号：CN113113300A 公开(公告)日：2021-07-13
- 发明人： 任星淳 , 文英慜 , 孙智熙 , 文敏浩 , 宋升勇 , 李德重 , 李露
- 申请人： 三星显示有限公司
- 申请人地址： 韩国京畿道
- 专利权人： 三星显示有限公司
- 当前专利权人： 三星显示有限公司
- 当前专利权人地址： 韩国京畿道
- 代理机构： 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司
- 代理人： 王达佐; 洪欣
- 优先权： 10-2020-0004067 20200113 KR
- 主分类号： H01L21/308
- IPC分类号： H01L21/308
摘要：
本申请提供了掩模，所述掩模包括具有多个通孔部并且包括聚合物膜和分散在所述聚合物膜中的多个磁性颗粒的掩模主体，以及设置在所述掩模主体的外表面上的聚合物涂层。因此，减少了制造掩模的时间和成本，并且也改善了沉积过程的精度，使得使用所述掩模的显示面板的成品率得到改善并且使用所述掩模制造的显示面板具有改善的可靠性。
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/26 | ....用波或粒子辐射轰击的 |
| ----------------H01L21/302 | .....改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割 |
| ------------------H01L21/306 | ......化学或电处理，例如电解腐蚀 |
| --------------------H01L21/308 | .......应用掩膜的 |