基本信息:
- 专利标题： 一种集成电路用铜铝硅合金靶材的制备工艺
- 申请号：CN202011426987.5 申请日：2020-12-09
- 公开(公告)号：CN112680626B 公开(公告)日：2022-12-02
- 发明人： 臧卫祥 , 常艳超 , 徐东起 , 程小明 , 高奇峰
- 申请人： 爱发科电子材料(苏州)有限公司
- 申请人地址： 江苏省苏州市苏州工业园区平胜路55号
- 专利权人： 爱发科电子材料(苏州)有限公司
- 当前专利权人： 爱发科电子材料(苏州)有限公司
- 当前专利权人地址： 江苏省苏州市苏州工业园区平胜路55号
- 代理机构： 北京精金石知识产权代理有限公司
- 代理人： 杨佩佩
- 主分类号： C22C9/10
- IPC分类号： C22C9/10 ; C22C1/02 ; B22D27/04 ; C22F1/08 ; C23C14/34
摘要：
本发明公开了一种集成电路用铜铝硅合金靶材的制备工艺，包括如下步骤：步骤1、熔炼；步骤2、浇铸；步骤3、去黑皮；步骤4、热间锻打；步骤5、热间压延；步骤6、热处理；步骤7、切割及机加工。本发明采用热间锻打和热间压延的结合工艺，先锻打再压延，使得生产出的铜铝硅合金靶材平均最小粒径可达到25μm以下，硬度HV115以上。实现粒径细微化，在使用过程中，减少了异常放电现象，此外，粒径细微化的靶材不易于发生反溅射堆积(mura)，保证了靶材的正常使用和溅射效率。
公开/授权文献:
- CN112680626A 一种集成电路用铜铝硅合金靶材的制备工艺 公开/授权日：2021-04-20