![多平面NVM处理编程出错的方法与存储设备](/CN/2019/1/185/images/201910927449.jpg)
基本信息:
- 专利标题: 多平面NVM处理编程出错的方法与存储设备
- 申请号:CN201910927449.5 申请日:2019-09-27
- 公开(公告)号:CN112578993A 公开(公告)日:2021-03-30
- 发明人: 于松海 , 李德领 , 袁戎
- 申请人: 北京忆恒创源科技有限公司
- 申请人地址: 北京市海淀区西小口路66号中关村东升科技园B-2号楼A302室
- 专利权人: 北京忆恒创源科技有限公司
- 当前专利权人: 北京忆恒创源科技有限公司
- 当前专利权人地址: 北京市海淀区西小口路66号中关村东升科技园B-2号楼A302室
- 代理机构: 北京卓特专利代理事务所
- 代理人: 陈变花
- 主分类号: G06F3/06
- IPC分类号: G06F3/06
摘要:
提供了多平面NVM处理编程出错的方法与存储设备。所提供的用于存储设的方法,包括:获取待回收的存储块,若存储块被标记为伪坏块,擦除所述存储块;以及若擦除所述存储块成功,将所述存储块标记为好块。
公开/授权文献:
- CN112578993B 多平面NVM处理编程出错的方法与存储设备 公开/授权日:2024-07-02
IPC结构图谱:
G | 物理 |
--G06 | 计算;推算;计数 |
----G06F | 电数字数据处理 |
------G06F3/00 | 用于将所要处理的数据转变成为计算机能够处理的形式的输入装置;用于将数据从处理机传送到输出设备的输出装置,例如,接口装置 |
--------G06F3/06 | .来自记录载体的数字输入,或者到记录载体上去的数字输出 |