基本信息:
- 专利标题： 一种高屏蔽效能ITO膜的制造工艺及其设备
- 申请号：CN202011085374.X 申请日：2020-10-12
- 公开(公告)号：CN112267094A 公开(公告)日：2021-01-26
- 发明人： 姜建峰
- 申请人： 赫得纳米科技(昆山)有限公司
- 申请人地址： 江苏省苏州市昆山市昆山开发区高科技工业园都市路21号
- 专利权人： 赫得纳米科技(昆山)有限公司
- 当前专利权人： 赫得纳米科技(昆山)有限公司
- 当前专利权人地址： 江苏省苏州市昆山市昆山开发区高科技工业园都市路21号
- 代理机构： 北京科亿知识产权代理事务所
- 代理人： 汤东凤
- 主分类号： C23C14/24
- IPC分类号： C23C14/24 ; C23C14/50 ; C23C14/54 ; C23C14/56 ; C23C14/10 ; C23C14/08 ; C23C14/06 ; B01D46/00 ; B01D46/24
摘要：
本发明公开了一种高屏蔽效能ITO膜的制造工艺及其设备，主要包括外框、电热器、真空机、过滤器和基板架，所述外框顶端中部固定安装有顶壳，顶壳内侧固定安装有电热器，电热器底端装配安装有原料盒，所述外框左侧转动安装有密封门。本发明涉及一种高屏蔽效能ITO膜的制造工艺及其设备，通过内设的灵活基板架，配合紧凑的驱动机械结构，导电结构位于内部，避免外部元素的腐蚀，适应稳定好，镀膜均匀性好，自身寿命有保证，过滤器在抽真空时周期，可以保证滤芯外表面的清洁，避免堵塞，且不需要单独外接驱动设备，对真空设备的做功进行充分利用，更加节能，产生的薄膜真身的屏蔽能力好，自身保护完善。