基本信息:
- 专利标题： 碳掺杂单晶硅晶圆及其制造方法
- 申请号：CN202010617597.X 申请日：2020-06-30
- 公开(公告)号：CN112176414B 公开(公告)日：2024-11-08
- 发明人： 曲伟峰 , 井川静男 , 砂川健
- 申请人： 信越半导体株式会社
- 申请人地址： 日本东京都
- 专利权人： 信越半导体株式会社
- 当前专利权人： 信越半导体株式会社
- 当前专利权人地址： 日本东京都
- 代理机构： 北京路浩知识产权代理有限公司
- 代理人： 张晶; 谢顺星
- 主分类号： C30B33/02
- IPC分类号： C30B33/02 ; C30B31/06 ; C30B29/06 ; H01L21/324
摘要：
本发明提供一种碳掺杂单晶硅晶圆的制造方法，该方法具有以下工序：准备未进行碳掺杂的单晶硅晶圆的工序；在包含含碳原子化合物气体的氛围下，对所述单晶硅晶圆进行第一RTA处理的工序；及以高于所述第一RTA处理的温度，进行接着所述第一RTA处理的第二RTA处理的工序，通过所述第一及第二RTA处理，对所述单晶硅晶圆注入空位并同时掺杂碳，将由所述单晶硅的表面至深0.1μm的范围内的碳浓度设为1×10
公开/授权文献:
- CN112176414A 碳掺杂单晶硅晶圆及其制造方法 公开/授权日：2021-01-05