基本信息:
- 专利标题： 一种半导体器件及其形成方法
- 申请号：CN201910417235.3 申请日：2019-05-20
- 公开(公告)号：CN111968947A 公开(公告)日：2020-11-20
- 发明人： 杨志勇 , 蒋鑫
- 申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 , 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
- 申请人地址： 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区张江路18号
- 专利权人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
- 当前专利权人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
- 当前专利权人地址： 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区张江路18号
- 代理机构： 上海德禾翰通律师事务所
- 代理人： 侯莉
- 主分类号： H01L21/8238
- IPC分类号： H01L21/8238 ; H01L27/092
摘要：
本发明提供一种半导体器件的形成方法，包括以下步骤：提供衬底，衬底上形成有至少两个相邻的晶体管区；相邻的晶体管区的相接处形成有浅隔离沟槽。为了保护浅隔离沟槽的侧壁上的材料在后续刻蚀中不被不同程度地刻蚀，可在浅隔离沟槽的侧壁上形成第一电介质层，用于保护浅隔离沟槽的侧壁的材料不被刻蚀掉，防止浅隔离沟槽的宽度变大，使得半导体器件的性能较佳。进一步地，本发明还提供一种半导体器件，在浅隔离沟槽的侧壁上形成第一电介质层，用于保护浅隔离沟槽的侧壁的材料不被刻蚀掉，防止浅隔离沟槽的宽度变大，使得半导体器件的性能较佳。
公开/授权文献:
- CN111968947B 一种半导体器件及其形成方法 公开/授权日：2024-10-25
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/67 | .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置 |
| ----------H01L21/71 | ..限定在组H01L21/70中的器件的特殊部件的制造 |
| ------------H01L21/78 | ...把衬底连续地分成多个独立的器件 |
| --------------H01L21/782 | ....制造多个器件，每一个由单个电路元件组成 |
| ----------------H01L21/822 | .....衬底是采用硅工艺的半导体的 |
| ------------------H01L21/8222 | ......双极工艺 |
| --------------------H01L21/8234 | .......MIS工艺 |
| ----------------------H01L21/8238 | ........互补场效应晶体管，例如CMOS |