基本信息:
- 专利标题： 晶圆键合方法及其结构
- 申请号：CN202011015413.9 申请日：2018-05-30
- 公开(公告)号：CN111916342A 公开(公告)日：2020-11-10
- 发明人： 郭帅 , 王家文 , 丁滔滔 , 邢瑞远 , 王孝进 , 王家友 , 李春龙
- 申请人： 长江存储科技有限责任公司
- 申请人地址： 湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号
- 专利权人： 长江存储科技有限责任公司
- 当前专利权人： 长江存储科技有限责任公司
- 当前专利权人地址： 湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号
- 代理机构： 北京永新同创知识产权代理有限公司
- 代理人： 张殿慧; 刘健
- 优先权： 201710681131.4 2017.08.10 CN
- 主分类号： H01L21/02
- IPC分类号： H01L21/02 ; H01L21/50
摘要：
公开了晶圆键合方法及其结构的实施例。晶圆键合方法可包括对第一晶圆的前表面及第二晶圆的前表面执行等离子活化处理；对第一晶圆与第二晶圆的前表面执行硅溶胶处理；对第一晶圆及第二晶圆执行预键合过程；以及对第一晶圆及第二晶圆执行热处理，以将第一晶圆的前表面键合至第二晶圆的前表面。
公开/授权文献:
- CN111916342B 晶圆键合方法及其结构 公开/授权日：2021-04-16
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |