基本信息:
- 专利标题： 形成电接触结构的方法
- 申请号：CN202010305127.X 申请日：2017-05-19
- 公开(公告)号：CN111682007B 公开(公告)日：2023-10-13
- 发明人： M·鲍尔 , J·丹格尔迈尔 , R·恩格尔 , J·加特鲍尔 , F·希勒 , M·许廷格 , W·卡纳特 , H·克尔纳 , J·马勒 , B·吕勒 , F·J·桑托斯罗德里格斯 , A·韦莱伊
- 申请人： 英飞凌科技股份有限公司
- 申请人地址： 德国瑙伊比贝尔格市
- 专利权人： 英飞凌科技股份有限公司
- 当前专利权人： 英飞凌科技股份有限公司
- 当前专利权人地址： 德国瑙伊比贝尔格市
- 代理机构： 永新专利商标代理有限公司
- 代理人： 周家新
- 主分类号： H01L23/49
- IPC分类号： H01L23/49 ; H01L23/29 ; H01L23/31 ; H01L23/495 ; H01L21/02 ; H01L21/60 ; H01L21/48
摘要：
在各种实施例中，提供了芯片封装体。所述芯片封装体可包括：芯片；包括非贵金属并且电接触所述芯片的金属接触结构；封装材料；和保护层，所述保护层包括或基本上由在所述金属接触结构的一部分与所述封装材料之间的接合面处形成的部分组成，其中，所述保护层可包括贵金属，所述保护层的所述部分可包括多个不含所述贵金属的区域，所述不含所述贵金属的区域可提供所述封装材料与所述金属接触结构的非贵金属之间的接合面。
公开/授权文献:
- CN111682007A 形成电接触结构的方法 公开/授权日：2020-09-18
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L23/00 | 半导体或其他固态器件的零部件 |
| --------H01L23/34 | .冷却装置；加热装置；通风装置或温度补偿装置 |
| ----------H01L23/482 | ..由不可拆卸地施加到半导体本体上的内引线组成的 |
| ------------H01L23/49 | ...类似线状的 |