基本信息:
- 专利标题： 一种半导体器件的制备方法
- 申请号：CN202010190728.0 申请日：2020-03-18
- 公开(公告)号：CN111370371A 公开(公告)日：2020-07-03
- 发明人： 张志雄 , 谢海波 , 梁玲 , 彭绍扬 , 李刚 , 赵华志
- 申请人： 长江存储科技有限责任公司
- 申请人地址： 湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号
- 专利权人： 长江存储科技有限责任公司
- 当前专利权人： 长江存储科技有限责任公司
- 当前专利权人地址： 湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号
- 代理机构： 北京派特恩知识产权代理有限公司
- 代理人： 刘鹤; 张颖玲
- 主分类号： H01L21/8234
- IPC分类号： H01L21/8234 ; H01L27/11526 ; H01L27/11551 ; H01L27/11573 ; H01L27/11578
摘要：
本发明实施例公开了一种半导体器件的制备方法，包括：提供半导体结构：衬底，形成在衬底第一区域上的第一介质层，部分覆盖第一介质层的第一栅极结构，形成在衬底第二区域上的第二介质层，部分覆盖第二介质层的第二栅极结构；第一介质层具有第一厚度，第二介质层具有第二厚度，第一厚度大于第二厚度；执行第一刻蚀工艺，分别在未被第一栅极结构覆盖的位置处和未被第二栅极结构覆盖的位置处刻蚀第一介质层和第二介质层，以使第一介质层和第二介质层有第一预定厚度被去除，第一预定厚度小于等于第二厚度；在第二区域上形成光刻胶层；执行第二刻蚀工艺，在未被第一栅极结构覆盖的位置处刻蚀第一介质层，以使第一介质层有第二预定厚度被去除。
公开/授权文献:
- CN111370371B 一种半导体器件的制备方法 公开/授权日：2023-07-28
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/67 | .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置 |
| ----------H01L21/71 | ..限定在组H01L21/70中的器件的特殊部件的制造 |
| ------------H01L21/78 | ...把衬底连续地分成多个独立的器件 |
| --------------H01L21/782 | ....制造多个器件，每一个由单个电路元件组成 |
| ----------------H01L21/822 | .....衬底是采用硅工艺的半导体的 |
| ------------------H01L21/8222 | ......双极工艺 |
| --------------------H01L21/8234 | .......MIS工艺 |