基本信息:
- 专利标题： 一种抗EMI超结器件
- 申请号：CN202010047093.9 申请日：2020-01-16
- 公开(公告)号：CN111244153A 公开(公告)日：2020-06-05
- 发明人： 任敏 , 郭乔 , 雷清滢 , 谢欣桐 , 孙涵涵 , 郝超越 , 高巍 , 张波
- 申请人： 电子科技大学
- 申请人地址： 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号
- 专利权人： 电子科技大学
- 当前专利权人： 电子科技大学
- 当前专利权人地址： 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号
- 代理机构： 成都点睛专利代理事务所
- 代理人： 霍淑利
- 主分类号： H01L29/06
- IPC分类号： H01L29/06 ; H01L29/78 ; H01L21/336
摘要：
本发明涉及一种抗EMI超结器件，属于功率半导体器件技术领域。本发明提出的一种抗EMI超结器件，通过在漂移区内引入高K介质材料柱，从而与纵向相邻的半导体衬底、多晶硅调控栅形成MIS电容，并使多晶硅调控栅与外部电压调控模块相连，在不影响器件耐压的前提下，通过调节多晶硅调控栅上的电位，就可以改变不同漏压下密勒电容Cgd的大小，使Cgd曲线尽可能在低漏压下减小，高漏压下增大，从而实现开关损耗和开关EMI噪声的双向优化。
公开/授权文献:
- CN111244153B 一种抗EMI超结器件 公开/授权日：2021-02-12