![一种柔性传感器制造工艺及柔性传感器](/CN/2020/1/7/images/202010036429.jpg)
基本信息:
- 专利标题: 一种柔性传感器制造工艺及柔性传感器
- 申请号:CN202010036429.1 申请日:2020-01-14
- 公开(公告)号:CN111243966B 公开(公告)日:2021-11-05
- 发明人: 焦文龙 , 王淼 , 曾怀望 , 杨睿峰 , 汪浩鹏 , 张培健
- 申请人: 联合微电子中心有限责任公司
- 申请人地址: 重庆市沙坪坝区西园一路28号附2号
- 专利权人: 联合微电子中心有限责任公司
- 当前专利权人: 联合微电子中心有限责任公司
- 当前专利权人地址: 重庆市沙坪坝区西园一路28号附2号
- 代理机构: 重庆中之信知识产权代理事务所
- 代理人: 罗庆
- 主分类号: H01L21/50
- IPC分类号: H01L21/50 ; H01L21/60 ; H01L23/50
摘要:
本发明提供了一种柔性传感器制造工艺及柔性传感器,该制造工艺包括:在第一硅晶圆上制作第一柔性衬底层,并在所述第一柔性衬底层上制作传感器单元;在第二硅晶圆的表面通过半导体工艺制作电路单元;将所述第一硅晶圆制作有传感器单元的一侧与所述第二硅晶圆制作有电路单元的一侧面对面键合,使传感器单元与电路单元建立起电连接关系而成为检测单元;对所述第二硅晶圆的背面进行处理以制作成薄硅片,并去除第一硅晶圆,制得具有检测单元的单芯片柔性传感器。本发明提出的柔性传感器制造工艺具有工艺兼容性强、可批量化生产,制作的柔性传感器结构大为简化,集成度高,性能优越,满足柔性运用的可穿戴、医疗、机器人等领域。
公开/授权文献:
- CN111243966A 一种柔性传感器制造工艺及柔性传感器 公开/授权日:2020-06-05
IPC结构图谱:
H | 电学 |
--H01 | 基本电气元件 |
----H01L | 半导体器件;其他类目未包含的电固体器件 |
------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
--------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
------------H01L21/50 | ...应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的 |