基本信息:
- 专利标题： 一种TopCon结构太阳能电池制备方法
- 申请号：CN202010032131.3 申请日：2020-01-13
- 公开(公告)号：CN111200038A 公开(公告)日：2020-05-26
- 发明人： 熊诗龙 , 金井升
- 申请人： 浙江晶科能源有限公司 , 晶科能源有限公司
- 申请人地址： 浙江省嘉兴市海宁市袁花镇袁溪路58号
- 专利权人： 浙江晶科能源有限公司,晶科能源有限公司
- 当前专利权人： 浙江晶科能源有限公司,晶科能源有限公司
- 当前专利权人地址： 浙江省嘉兴市海宁市袁花镇袁溪路58号
- 代理机构： 北京集佳知识产权代理有限公司
- 代理人： 刘新雷
- 主分类号： H01L31/18
- IPC分类号： H01L31/18 ; H01L31/0216
摘要：
本发明公开了一种TopCon结构太阳能电池制备方法，包括：步骤1，对制绒后的硅片进行正面硼扩散，形成BSG层；步骤2，对所述硅片进行背面刻蚀之后进行热氧化，形成遂穿氧化层；步骤3，对所述硅片的遂穿氧化层在预定温度下氢气处理预定时间；步骤4，在所述遂穿氧化层沉积非晶硅层；步骤5，对所述非晶硅层进行磷掺杂，形成PSG层，使得掺杂后的所述非晶硅层与所述遂穿氧化层组成TopCon结构。通过采用在氢气氛围中对生长遂穿氧化层的硅片进行处理，减少了硅片氧化层的界面缺陷，提高了硅片表面的钝化质量，使得无需对硅片进行高温退火处理，不会引起掺杂原子对氧化层的破坏作用，提升了太阳能电池的品质。