基本信息:
- 专利标题： 一种III-V族氮化物功率器件
- 申请号：CN201911365844.5 申请日：2019-12-26
- 公开(公告)号：CN111129116A 公开(公告)日：2020-05-08
- 发明人： 杨树 , 刘宇鑫 , 盛况
- 申请人： 浙江大学
- 申请人地址： 浙江省杭州市西湖区浙大路38号
- 专利权人： 浙江大学
- 当前专利权人： 浙江大学
- 当前专利权人地址： 浙江省杭州市西湖区浙大路38号
- 代理机构： 杭州裕阳联合专利代理有限公司
- 代理人： 姚宇吉
- 主分类号： H01L29/06
- IPC分类号： H01L29/06 ; H01L29/20 ; H01L21/331
摘要：
公开了一种III-V族氮化物功率器件，包括阳极、阴极和衬底，还包括缓冲层，位于衬底上方；半绝缘氮化镓层，位于所述缓冲层上方；第一N型氮化镓层，位于所述半绝缘氮化镓层上方；第二N型氮化镓层，位于所述第一N型氮化镓层上方；以及至少一层空间电荷层，位于所述第二N型氮化镓层内，所述至少一层空间电荷层包括类P型区和空间电荷窗口，其中所述类P型区中引入电负性离子，所述空间电荷窗口位于相邻的两个类P型区之间，所述空间电荷窗口具有第三N型掺杂浓度。这种结构能兼顾器件的正向导通性能以及反向击穿和反向漏电流性能，并且实现这种结构的工艺在实验室和工业生产的条件下可行性较高，方法较为简单。