基本信息:
- 专利标题： 碳化硅陶瓷分离及其制备方法
- 申请号：CN201911079133.1 申请日：2019-11-07
- 公开(公告)号：CN110981545A 公开(公告)日：2020-04-10
- 发明人： 席红安 , 赵俊亮 , 麦保祥 , 卢庆贤
- 申请人： 佛山市中国科学院上海硅酸盐研究所陶瓷研发中心
- 申请人地址： 广东省佛山市禅城区古新路70号佛山高新区科技产业园C座三楼307、308、309、310
- 专利权人： 佛山市中国科学院上海硅酸盐研究所陶瓷研发中心
- 当前专利权人： 佛山市中国科学院上海硅酸盐研究所陶瓷研发中心
- 当前专利权人地址： 广东省佛山市禅城区古新路70号佛山高新区科技产业园C座三楼307、308、309、310
- 代理机构： 广州嘉权专利商标事务所有限公司
- 代理人： 朱继超
- 主分类号： C04B41/87
- IPC分类号： C04B41/87 ; B01D69/06 ; B01D71/02 ; B01D67/00
摘要：
本发明公开了碳化硅陶瓷分离膜，所述分离膜包括多孔氧化物陶瓷基体及碳化硅膜，所述碳化硅膜设置在所述多孔氧化物陶瓷基体的表面，且所述碳化硅膜为开口多孔结构，所述多孔氧化物陶瓷基体为平板式多孔陶瓷或碟式多孔陶瓷。本发明所述的碳化硅陶瓷分离膜是通过物理气相沉积工艺在多孔氧化物陶瓷基体的表面沉积碳化硅膜层，得到预制碳化硅陶瓷分离膜件，然后将预制碳化硅陶瓷分离膜件在真空或惰性气氛气氛下进行高温处理，最终制得所述碳化硅陶瓷分离膜，本发明中所述碳化硅陶瓷分离膜上的碳化硅膜与多孔氧化物陶瓷基体的结合力强，且碳化硅膜层的硬度高，所述制备方法简单，易于推广。