基本信息:
- 专利标题： 大单晶金刚石及其生产方法
- 申请号：CN201880028059.8 申请日：2018-04-27
- 公开(公告)号：CN110914204B 公开(公告)日：2022-06-03
- 发明人： D.S.米斯拉
- 申请人： 二A 科技有限公司
- 申请人地址： 新加坡新加坡市珠烈街65号华侨银行大厦38-02/03室
- 专利权人： 二A 科技有限公司
- 当前专利权人： 二A 科技有限公司
- 当前专利权人地址： 新加坡新加坡市珠烈街65号华侨银行大厦38-02/03室
- 代理机构： 中国专利代理(香港)有限公司
- 代理人： 徐晶; 黄登高
- 国际申请： PCT/SG2018/000003 2018.04.27
- 国际公布： WO2018/199845 EN 2018.11.01
- 进入国家日期： 2019-10-28
- 主分类号： C03B29/04
- IPC分类号： C03B29/04 ; C30B25/20 ; B01J3/06 ; C01B32/25 ; C01B32/26
摘要：
一种生产大单晶金刚石的方法，包括：(i)在金刚石生长室中将两个或更多个单晶金刚石衬底彼此相邻布置，其中每个单晶金刚石衬底包括至少两个具有不同晶体取向的相邻表面，(ii)使用金刚石生长工艺，在向上生长方向以及在横向生长方向上生长单晶金刚石衬底。
公开/授权文献:
- CN110914204A 大单晶金刚石及其生产方法 公开/授权日：2020-03-24
IPC结构图谱:
| C | 化学；冶金 |
| --C03 | 玻璃；矿棉或渣棉 |
| ----C03B | 制造、成型或辅助工艺 |
| ------C03B29/00 | 使玻璃制品表面软化或熔融的再加热；火焰抛光；边熔 |
| --------C03B29/04 | .连续式的 |