基本信息:
- 专利标题： 光器件晶片的加工方法
- 申请号：CN201910751839.1 申请日：2019-08-15
- 公开(公告)号：CN110911530B 公开(公告)日：2024-09-13
- 发明人： 小柳将
- 申请人： 株式会社迪思科
- 申请人地址： 日本东京都
- 专利权人： 株式会社迪思科
- 当前专利权人： 株式会社迪思科
- 当前专利权人地址： 日本东京都
- 代理机构： 北京三友知识产权代理有限公司
- 代理人： 沈娥; 褚瑶杨
- 主分类号： H01L33/00
- IPC分类号： H01L33/00 ; B23K26/00
摘要：
本发明提供光器件晶片的加工方法，降低在光器件层中产生的崩边和裂纹等。该光器件晶片的加工方法将光器件晶片的光器件层转移到移设部件，其中，该光器件晶片的加工方法包括下述步骤：分割槽形成步骤，沿着分割预定线在该光器件层侧形成未将光器件晶片的缓冲层完全断开的分割槽；移设部件接合步骤，将移设部件接合至光器件层的表面；激光束照射步骤，从结晶性基板的背面侧照射具有对于结晶性基板来说为透过性、对于缓冲层来说为吸收性的波长的脉冲激光束；以及结晶性基板剥离步骤，将结晶性基板从光器件层剥离，将光器件层移设到移设部件，在激光束照射步骤中，使在分割槽形成步骤未被断开而残留的缓冲层、或者缓冲层与光器件层的一部分变质。
公开/授权文献:
- CN110911530A 光器件晶片的加工方法 公开/授权日：2020-03-24