基本信息:
- 专利标题： 一种基于二氧化钒薄膜的太赫兹调制器及其调控方法
- 申请号：CN201910588598.3 申请日：2019-07-02
- 公开(公告)号：CN110221367A 公开(公告)日：2019-09-10
- 发明人： 高敏 , 王旭 , 林媛 , 罗盛鲜 , 路畅 , 潘泰松
- 申请人： 电子科技大学
- 申请人地址： 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号
- 专利权人： 电子科技大学
- 当前专利权人： 电子科技大学
- 当前专利权人地址： 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号
- 代理机构： 电子科技大学专利中心
- 代理人： 吴姗霖
- 主分类号： G02B5/00
- IPC分类号： G02B5/00 ; G02B5/18 ; G02F1/01
摘要：
本发明提供一种基于二氧化钒薄膜的太赫兹调制器及其调控方法，属于太赫兹应用技术领域。本发明调制器采用VO2薄膜和金属光栅复合结构，利用二氧化钒的热致相变特性和对光栅周期的改变实现对太赫兹频率和幅度的多功能动态调节。相比于传统的超结构的调控方法，通过温度变化控制二氧化钒的相变过程，相变前后二氧化钒发生从绝缘相到金属相的变化，电阻率和透射率发生显著变化，在25℃到100℃的温度范围内，都能实现太赫兹透射响应幅度的调节，幅度的调节可达到百分之七十以上；通过改变金属光栅的周期尺寸和金属线条的宽度，调控太赫兹的响应频率，整体的调控范围为0.1thz到3thz。