基本信息:
- 专利标题： 使用双气室喷头的亚稳态激活的自由基选择性剥离和蚀刻的系统和方法
- 申请号：CN201780079015.3 申请日：2017-12-20
- 公开(公告)号：CN110114863B 公开(公告)日：2024-04-16
- 发明人： 杨登亮 , 方浩权 , 大卫·张 , 吉那那玛尼·安布罗斯 , 恩苏克·科 , 罗伟义 , 张丹
- 申请人： 朗姆研究公司
- 申请人地址： 美国加利福尼亚州
- 专利权人： 朗姆研究公司
- 当前专利权人： 朗姆研究公司
- 当前专利权人地址： 美国加利福尼亚州
- 代理机构： 上海胜康律师事务所
- 代理人： 李献忠; 张静
- 国际申请： PCT/US2017/067660 2017.12.20
- 国际公布： WO2018/119111 EN 2018.06.28
- 进入国家日期： 2019-06-20
- 主分类号： H01L21/67
- IPC分类号： H01L21/67 ; H01L21/3065
摘要：
一种用于选择性蚀刻衬底的衬底处理系统包括第一室和第二室。第一气体输送系统向所述第一室供应惰性气体物质。等离子体产生系统产生在所述第一室中的包括离子和亚稳态物质的等离子体。气体分配装置从所述等离子体中去除所述离子，阻挡由所述等离子体产生的紫外(UV)光，并将所述亚稳态物质输送到所述第二室。衬底支撑件设置在所述气体分配装置下方以支撑所述衬底。第二气体输送系统将反应性气体物质输送到所述气体分配装置或位于所述气体分配装置下方的容积空间中的一者。所述亚稳态物质将能量传递给所述反应性气体物质，以比所述衬底的至少一种其他暴露材料选择性地更多地蚀刻所述衬底的一种暴露材料。
公开/授权文献:
- CN110114863A 使用双气室喷头的亚稳态激活的自由基选择性剥离和蚀刻的系统和方法 公开/授权日：2019-08-09
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/67 | .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置 |