基本信息:
- 专利标题： 用于Hg(0)传感器的敏感材料SnS-SnO2
- 申请号：CN201910155264.7 申请日：2019-03-01
- 公开(公告)号：CN110028097B 公开(公告)日：2021-09-21
- 发明人： 王冬 , 唐明聪 , 孙墨杰 , 王世杰 , 张庭
- 申请人： 东北电力大学
- 申请人地址： 吉林省吉林市船营区长春路169号
- 专利权人： 东北电力大学
- 当前专利权人： 东北电力大学
- 当前专利权人地址： 吉林省吉林市船营区长春路169号
- 代理机构： 吉林长春新纪元专利代理有限责任公司
- 代理人： 白冬冬
- 主分类号： C01G19/00
- IPC分类号： C01G19/00 ; C01G19/02 ; G01N27/12
摘要：
一种用于Hg(0)传感器的敏感材料SnS‑SnO2，属于半导体传感器技术领域。本发明的目的是以硫化物半导体为模板的SnS‑SnO2电阻型传感器用于检测Hg(0)的用于Hg(0)传感器的敏感材料SnS‑SnO2。本发明制备方法是：称取氯化亚锡，在搅拌条件下溶于去离子水中；然后分别将氢氧化钠、硫脲、氟化铵、P123,依次在搅拌条件下至完全溶解在去离子水溶液中；完全溶解后搅拌10 min,然后移入反应釜中，水热160℃，保持12h；将反应釜在高压状态下自然冷却至室温，然后将黑色产物分别用去离子水和乙醇离心洗涤3次；将洗涤后收集的黑色产物在真空干燥箱中干燥24h，真空干燥箱温度设为60℃。本发明对Hg(0)有良好的气敏性能。最终能对Hg(0)的含量进行检测。
公开/授权文献:
- CN110028097A 用于Hg(0)传感器的敏感材料SnS-SnO2 公开/授权日：2019-07-19