基本信息:
- 专利标题： MEMS器件及其制造方法
- 申请号：CN201811641765.8 申请日：2018-12-29
- 公开(公告)号：CN109665488A 公开(公告)日：2019-04-23
- 发明人： 孙伟 , 闻永祥 , 刘琛 , 葛俊山 , 马志坚
- 申请人： 杭州士兰集成电路有限公司 , 杭州士兰微电子股份有限公司
- 申请人地址： 浙江省杭州市杭州经济技术开发区10号大街(东)308号
- 专利权人： 杭州士兰集成电路有限公司,杭州士兰微电子股份有限公司
- 当前专利权人： 杭州士兰集成电路有限公司,杭州士兰微电子股份有限公司
- 当前专利权人地址： 浙江省杭州市杭州经济技术开发区10号大街(东)308号
- 代理机构： 北京成创同维知识产权代理有限公司
- 代理人： 蔡纯; 张靖琳
- 主分类号： B81C1/00
- IPC分类号： B81C1/00 ; B81B7/00 ; B81B7/02 ; H03H3/02 ; H03H9/02 ; H03H9/17 ; H03H9/54
摘要：
本申请公开了一种MEMS器件及其制造方法。该制造方法包括：形成CMOS电路；以及在CMOS电路上形成MEMS模块，CMOS电路与MEMS模块连接，用于驱动MEMS模块，其中，形成MEMS模块的步骤包括：形成保护层；在保护层中形成牺牲层；在保护层与牺牲层上形成第一电极，并形成第一电极与CMOS电路之间的电连接，第一电极覆盖牺牲层；在第一电极上形成压电层，压电层与牺牲层的位置对应；在压电层上形成第二电极，并形成第二电极与CMOS电路之间的电连接；在第一电极上或保护层形成到达牺牲层的通孔；以及经由通孔除去牺牲层形成空腔。该方法制造的MEMS器件灵敏度高同时又显著降低制造成本和改善工艺兼容性。
公开/授权文献:
- CN109665488B MEMS器件及其制造方法 公开/授权日：2024-07-19
IPC结构图谱:
| B | 作业；运输 |
| --B81 | 微观结构技术 |
| ----B81C | 专门适用于制造或处理微观结构的装置或系统的方法或设备 |
| ------B81C1/00 | 在基片内或其上制造或处理的装置或系统 |