基本信息:
- 专利标题： 基于二维二硒化钯纳米薄膜与锗的自驱动异质结型红外光电探测器及其制备方法
- 申请号：CN201811336879.1 申请日：2018-11-12
- 公开(公告)号：CN109461789B 公开(公告)日：2020-09-11
- 发明人： 吴翟 , 王媛鸽 , 吴恩平 , 贾诚 , 史志锋 , 李新建
- 申请人： 郑州大学
- 申请人地址： 河南省郑州市高新区科学大道100号
- 专利权人： 郑州大学
- 当前专利权人： 汉威科技集团股份有限公司
- 当前专利权人地址： 河南省郑州市高新区科学大道100号
- 代理机构： 安徽省合肥新安专利代理有限责任公司
- 代理人： 卢敏
- 主分类号： H01L31/105
- IPC分类号： H01L31/105 ; H01L31/0272 ; H01L31/032 ; H01L31/18
摘要：
本发明公开了基于二维二硒化钯纳米薄膜与锗的自驱动异质结型红外光电探测器及其制备方法，是在锗基底表面平铺有二维二硒化钯纳米薄膜，在二维二硒化钯纳米薄膜和锗基底上分别设置有与其呈欧姆接触的金属电极，二硒化钯与锗形成异质结、两金属电极作为两输出级，即构筑成为自驱动异质结型红外光电探测器。本发明的自驱动异质结型红外光电探测器，制备工艺简单，在室温下实现了宽响应波段、高响应度、高探测率和快响应速度，为高性能宽波段红外探测器设计提供了一种途径。
公开/授权文献:
- CN109461789A 基于二维二硒化钯纳米薄膜与锗的自驱动异质结型红外光电探测器及其制备方法 公开/授权日：2019-03-12
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L31/00 | 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；其零部件 |
| --------H01L31/02 | .零部件 |
| ----------H01L31/10 | ..特点在于至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的，例如光敏晶体管 |
| ------------H01L31/101 | ...对红外、可见或紫外辐射敏感的器件 |
| --------------H01L31/102 | ....仅以一个势垒或面垒为特征的 |
| ----------------H01L31/105 | .....为PIN型势垒的 |