基本信息:
- 专利标题： 半导体器件及其形成方法
- 申请号：CN201710595667.4 申请日：2017-07-20
- 公开(公告)号：CN109285769B 公开(公告)日：2021-07-09
- 发明人： 李勇
- 申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 , 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
- 申请人地址： 上海市浦东新区张江路18号;
- 专利权人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
- 当前专利权人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
- 当前专利权人地址： 上海市浦东新区张江路18号;
- 代理机构： 北京集佳知识产权代理有限公司
- 代理人： 徐文欣; 吴敏
- 主分类号： H01L21/285
- IPC分类号： H01L21/285 ; H01L21/28 ; H01L21/336 ; H01L29/417 ; H01L29/49 ; H01L29/78
摘要：
一种半导体器件及其形成方法，其中方法包括：提供基底，基底包括第一区；在基底第一区中形成第一掺杂区；在第一掺杂区表面形成第一覆盖层，第一覆盖层中掺杂有第一离子组，第一离子组包括第一导电离子和第一阻挡离子；采用第一金属硅化工艺使第一覆盖层形成具有第一离子组的第一金属硅化物层，第一阻挡离子在第一金属硅化物层中的固溶度小于在第一覆盖层中的固溶度。所述方法使半导体器件的性能提高。
公开/授权文献:
- CN109285769A 半导体器件及其形成方法 公开/授权日：2019-01-29
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/26 | ....用波或粒子辐射轰击的 |
| ----------------H01L21/283 | .....用于电极的导电材料或绝缘材料的沉积 |
| ------------------H01L21/285 | ......气体或蒸气的沉积，例如冷凝 |