基本信息:
- 专利标题： 聚硅氧烷、半导体用材料、半导体及太阳能电池制备方法
- 申请号：CN201780015761.6 申请日：2017-08-23
- 公开(公告)号：CN109153787B 公开(公告)日：2021-07-30
- 发明人： 徐芳荣 , 李平 , 池田武史 , 宋韡 , 金光男 , 梅原正明 , 北田刚
- 申请人： 东丽先端材料研究开发(中国)有限公司
- 申请人地址： 上海市闵行区紫竹高新技术产业开发区紫月路369号
- 专利权人： 东丽先端材料研究开发(中国)有限公司
- 当前专利权人： 东丽株式会社
- 当前专利权人地址： 日本东京都中央区日本桥室町2-1-1
- 代理机构： 北京市金杜律师事务所
- 代理人： 杨宏军; 牛蔚然
- 优先权： 2016107872804 20160831 CN 2016107873027 20160831 CN
- 国际申请： PCT/CN2017/098627 2017.08.23
- 国际公布： WO2018/040990 ZH 2018.03.08
- 进入国家日期： 2018-09-06
- 主分类号： C08G77/16
- IPC分类号： C08G77/16 ; H01L21/02
摘要：
一种聚硅氧烷，含有至少一种选自下式1所示的分子结构片段，式1中，Q为含有醇羟基且主链碳原子数小于12的烷基、或者含有醇羟基且主链非氢原子数小于12且含杂原子的烷基；T为羟基、烷基、含有醇羟基且主链碳原子数小于12的烷基、或者含有醇羟基且主链非氢原子数小于12且含杂原子的烷基。使用本发明聚硅氧烷制备的掺杂浆料以及掩膜材料在具有优良扩散性的基础上，同时还具有优良的阻隔性和极小的气中扩散。并且，根据本发明的半导体制造方法，进一步减少了掺杂浆料中的掺杂杂质的气中扩散，从而可以进一步提升掺杂的工艺品质。
公开/授权文献:
- CN109153787A 聚硅氧烷、半导体用材料、半导体及太阳能电池制备方法 公开/授权日：2019-01-04
IPC结构图谱:
| C | 化学；冶金 |
| --C08 | 有机高分子化合物；其制备或化学加工；以其为基料的组合物 |
| ----C08G | 用碳—碳不饱和键以外的反应得到的高分子化合物 |
| ------C08G77/00 | 在高分子主链中形成含硅键合，有或没有硫、氮、氧，或碳键合反应得到的高分子化合物 |
| --------C08G77/04 | .聚硅氧烷 |
| ----------C08G77/14 | ..含有与含氧基团连接的硅 |
| ------------C08G77/16 | ...与羟基 |