基本信息:
- 专利标题： 半导体装置的制造方法
- 专利标题（英）：SEMICONDUCTOR DEVICE FORMING METHOD
- 申请号：CN201711294959.0 申请日：2017-12-08
- 公开(公告)号：CN108807182A 公开(公告)日：2018-11-13
- 发明人： 黄明杰 , 章勋明 , 陈嘉仁 , 张铭庆 , 古淑瑗 , 黄泰钧 , 王俊尧 , 李资良 , 徐志安
- 申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
- 申请人地址： 中国台湾新竹市
- 专利权人： 台湾积体电路制造股份有限公司
- 当前专利权人： 台湾积体电路制造股份有限公司
- 当前专利权人地址： 中国台湾新竹市
- 代理机构： 隆天知识产权代理有限公司
- 代理人： 冯志云; 张福根
- 优先权： 62/491,805 20170428 US 15/725,625 20171005 US
- 主分类号： H01L21/336
- IPC分类号： H01L21/336
摘要：
半导体装置的制造方法包含在第一鳍片上方形成金属栅极结构，金属栅极结构被第一介电材料环绕，以及在第一介电材料上方形成盖层，金属栅极结构与盖层之间的蚀刻选择性超过预定的临界值。半导体装置的制造方法也包含在第一鳍片和第一介电材料上方形成图案化的硬掩模层，其中图案化的硬掩模层的开口将金属栅极结构的一部分和盖层的一部分暴露出来。半导体装置的制造方法还包含移除由图案化的硬掩模层的开口暴露出的金属栅极结构的一部分。
摘要（英）：
A semiconductor device forming method includes forming a metal gate structure over a first fin, where the metal gate structure is surrounded by a first dielectric material, and forming a capping layerover the first dielectric material, where an etch selectivity between the metal gate structure and the capping layer is over a pre-determined threshold. The method also includes forming a patterned hard mask layer over the first fin and the first dielectric material, where an opening of the patterned hard mask layer exposes a portion of the metal gate structure and a portion of the capping layer.The method further includes removing the portion of the metal gate structure exposed by the opening of the patterned hard mask layer.
公开/授权文献:
- CN108807182B 半导体装置的制造方法 公开/授权日：2023-11-03
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/26 | ....用波或粒子辐射轰击的 |
| ----------------H01L21/335 | .....场效应晶体管 |
| ------------------H01L21/336 | ......带有绝缘栅的 |