基本信息:
- 专利标题： 一种具有挖槽埋氧电流阻挡层的光控晶闸管
- 申请号：CN201810563462.2 申请日：2018-06-04
- 公开(公告)号：CN108767007B 公开(公告)日：2021-01-22
- 发明人： 陈万军 , 邓操 , 刘超 , 魏东 , 高吴昊 , 左慧玲 , 夏云
- 申请人： 电子科技大学
- 申请人地址： 四川省成都市高新西区西源大道2006号
- 专利权人： 电子科技大学
- 当前专利权人： 电子科技大学
- 当前专利权人地址： 四川省成都市高新西区西源大道2006号
- 代理机构： 成都点睛专利代理事务所
- 代理人： 孙一峰
- 主分类号： H01L29/74
- IPC分类号： H01L29/74
摘要：
本发明属于半导体技术领域，具体涉及一种具有挖槽埋氧电流阻挡层的光控晶闸管。本发明主要通过改变电流流通路径，使电流绕过阴极左侧电流集中区，以此缓解器件内部的电流集中区、使电流分布更加均匀，进而提升器件的电流上升率耐量。本发明的有益效果为，提供了一种挖槽埋氧阻挡层的光控晶闸管器件设计，解决了常规光控晶闸管器件因主阴极左侧电流集中而引起的失效、不能适用于脉冲功率应用领域的问题，同时具有常规器件相同的制作工艺。它基本可以完全利用现有成熟的商用功率半导体器件制作工艺，为生产提供了有利条件。本发明尤其适用于大脉冲功率应用具有高峰值电流能力和高电流增长能力的光控晶闸管。
公开/授权文献:
- CN108767007A 一种具有挖槽埋氧电流阻挡层的光控晶闸管 公开/授权日：2018-11-06
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L29/00 | 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件 |
| --------H01L29/02 | .按其半导体本体的特征区分的 |
| ----------H01L29/68 | ..只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的 |
| ------------H01L29/70 | ...双极器件 |
| --------------H01L29/74 | ....晶闸管型器件，如具有四区再生作用的 |