基本信息:
- 专利标题： 氮化硅介电层的处理方法、薄膜晶体管和显示装置
- 申请号：CN201810242123.4 申请日：2018-03-22
- 公开(公告)号：CN108417481B 公开(公告)日：2021-02-23
- 发明人： 毛元杰 , 王凤涛 , 卢凯 , 李京鹏
- 申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 北京京东方光电科技有限公司
- 申请人地址： 北京市朝阳区酒仙桥路10号
- 专利权人： 京东方科技集团股份有限公司,北京京东方光电科技有限公司
- 当前专利权人： 京东方科技集团股份有限公司,北京京东方光电科技有限公司
- 当前专利权人地址： 北京市朝阳区酒仙桥路10号
- 代理机构： 北京律智知识产权代理有限公司
- 代理人： 董天宝; 于宝庆
- 主分类号： H01L21/02
- IPC分类号： H01L21/02 ; H01L21/3115 ; H01L29/786
摘要：
本发明提供一种氮化硅介电层的处理方法、防止半导体结构异常放电的方法、薄膜晶体管和显示装置，氮化硅介电层的处理方法包括对所述氮化硅介电层进行深紫外光照射，其中，在所述深紫外光照射前，对所述氮化硅介电层进行掺杂。通过采用人为制造缺陷的方法，在氮化硅介电层中掺杂不同元素，引入缺陷能级作为光生电子和空穴的复合中心，诱导并促进电子和空穴的复合，从而有效防止半导体结构中的氮化硅介电层在清洁过程进行深紫外光照射所导致的电子积累及进而产生的异常放电现象，减少产品中放电击毁的发生率。
公开/授权文献:
- CN108417481A 氮化硅介电层的处理方法、薄膜晶体管和显示装置 公开/授权日：2018-08-17
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |