基本信息:
- 专利标题： 基板处理装置和基板处理方法
- 申请号：CN201680056032.0 申请日：2016-09-29
- 公开(公告)号：CN108028193B 公开(公告)日：2022-04-22
- 发明人： 江头浩司 , 山下刚秀 , 本田儀幸 , 吉田祐希 , 川渕洋介
- 申请人： 东京毅力科创株式会社
- 申请人地址： 日本东京都
- 专利权人： 东京毅力科创株式会社
- 当前专利权人： 东京毅力科创株式会社
- 当前专利权人地址： 日本东京都
- 代理机构： 北京林达刘知识产权代理事务所
- 代理人： 刘新宇; 张会华
- 优先权： 2015-193550 20150930 JP 2016-124672 20160623 JP
- 国际申请： PCT/JP2016/078903 2016.09.29
- 国际公布： WO2017/057623 JA 2017.04.06
- 进入国家日期： 2018-03-26
- 主分类号： H01L21/304
- IPC分类号： H01L21/304
摘要：
在比由处理室(81、201)内的基板保持部(89、204)保持着的基板(W)的端缘靠外侧的位置设置有喷射气体的气体喷射口(74、205)。从气体喷射口(74、205)喷射来的气体形成在沿着由基板保持部保持着的基板的第1面(表面)的方向上流动的气体的流动。随着气体的流动，升华了的升华性物质的气体和气体所含有的异物被从基板的附近去除。气体也作为从加热部(88、203)向基板的传热介质起作用。
公开/授权文献:
- CN108028193A 基板处理装置和基板处理方法 公开/授权日：2018-05-11
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/26 | ....用波或粒子辐射轰击的 |
| ----------------H01L21/302 | .....改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割 |
| ------------------H01L21/304 | ......机械处理，例如研磨、抛光、切割 |