基本信息:
- 专利标题： 用于逻辑器件和存储器件的金属自旋超晶格
- 专利标题（英）：Metallic Spin Super Lattice For Logic And Memory Devices
- 申请号：CN201580080352.5 申请日：2015-06-24
- 公开(公告)号：CN107660304A 公开(公告)日：2018-02-02
- 发明人： S·马尼帕特鲁尼 , A·乔杜里 , D·E·尼科诺夫 , I·A·扬
- 申请人： 英特尔公司
- 申请人地址： 美国加利福尼亚
- 专利权人： 英特尔公司
- 当前专利权人： 英特尔公司
- 当前专利权人地址： 美国加利福尼亚
- 代理机构： 永新专利商标代理有限公司
- 代理人： 陈松涛; 韩宏
- 国际申请： PCT/US2015/037445 2015.06.24
- 国际公布： WO2016/209226 EN 2016.12.29
- 进入国家日期： 2017-11-24
- 主分类号： G11C11/155
- IPC分类号： G11C11/155 ; G11C11/16 ; H01F10/26 ; H01F10/32 ; H01L43/08 ; H01L43/10 ; H03K19/16
摘要：
描述了一种装置，包括：输入铁磁体，其接收第一充电电流并生成对应的自旋电流；以及金属层叠置体，其被配置为将对应的自旋电流转换为第二充电电流，其中，所述金属层叠置体耦合至所述输入磁体。
摘要（英）：
Described is an apparatus which comprises: an input ferromagnet to receive a first charge current and to produce a corresponding spin current; and a stack of metal layers configured to convert the corresponding spin current to a second charge current, wherein the stack of metal layers is coupled to the input magnet.
公开/授权文献:
- CN107660304B 用于逻辑器件和存储器件的金属自旋超晶格 公开/授权日：2022-05-10
IPC结构图谱:
| G11C11/56 | 组优先于G11C11/02至G11C11/54中各组。 |
| --G11C11/02 | .应用磁性元件的 |
| ----G11C11/14 | ..应用薄膜元件的 |
| ------G11C11/155 | ...有圆筒状结构的 |