基本信息:
- 专利标题： 半导体散热板用Mo烧结部件以及使用该Mo烧结部件的半导体装置
- 专利标题（英）：SINTERED MO PART FOR HEAT SINK PLATE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING SAME
- 申请号：CN201710886458.5 申请日：2012-03-19
- 公开(公告)号：CN107658280A 公开(公告)日：2018-02-02
- 发明人： 森冈勉 , 青山齐
- 申请人： 株式会社东芝 , 东芝高新材料公司
- 申请人地址： 日本东京都
- 专利权人： 株式会社东芝,东芝高新材料公司
- 当前专利权人： 株式会社东芝,东芝高新材料公司
- 当前专利权人地址： 日本东京都
- 代理机构： 永新专利商标代理有限公司
- 代理人： 刘凤岭; 陈建全
- 优先权： 2011-076431 2011.03.30 JP
- 主分类号： H01L23/373
- IPC分类号： H01L23/373 ; H01L23/488 ; C22C1/04 ; C22C27/04 ; C22C30/02
摘要：
本发明涉及一种半导体散热板用Mo烧结部件，其由含有10～50质量％铜的钼合金材料构成，其特征在于：所述钼合金材料的钼晶体的平均粒径为10～100μm，每500μm×500μm单位面积的Mo晶体的面积比的偏差在平均值的±10％以内。由于Mo和Cu的存在比例的偏差较小，因而可以得到热膨胀率等特性优良、且热膨胀率、强度等优良的半导体散热板用Mo烧结部件。
摘要（英）：
A sintered Mo part for heat sink plates for semiconductor devices which is constituted of a molybdenum alloy material that contains 10-50 mass% copper, the sintered Mo part being characterized in thatthe molybdenum alloy material has an average molybdenum crystal grain diameter of 10-100 mum and the areal proportion of Mo crystal grains per unit area of 500 mum * 500 mum has a variation within +/-10% of the average value. Since the molybdenum alloy material has little unevenness in Mo/Cu ratio, properties including thermal expansion coefficient are excellent. Thus, the sintered Mo part for heat sink plates for semiconductor devices is excellent in terms of thermal expansion coefficient, strength, etc.
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L23/00 | 半导体或其他固态器件的零部件 |
| --------H01L23/34 | .冷却装置；加热装置；通风装置或温度补偿装置 |
| ----------H01L23/36 | ..为便于冷却或加热对材料或造型的选择，例如散热器 |
| ------------H01L23/373 | ...为便于冷却的器件材料选择 |