基本信息:
- 专利标题： 用于检测不闪烁发光二极管的系统及方法
- 专利标题（英）：SYSTEMS AND METHODS FOR DETECTING LIGHT-EMITTING DIODE WITHOUT FLICKERING
- 申请号：CN201710374063.7 申请日：2017-05-24
- 公开(公告)号：CN107437552A 公开(公告)日：2017-12-05
- 发明人： 毛杜立 , 特吕格弗·维拉森 , 约翰内斯·索尔胡斯维克 , 马渕圭司 , 陈刚 , 真锅宗平 , 戴森·H·戴 , 比尔·潘 , 奥拉伊·奥尔昆·赛莱克 , 林志强 , 马思光 , 杨大江 , 博伊德·艾伯特·佛勒
- 申请人： 豪威科技股份有限公司
- 申请人地址： 美国加利福尼亚州
- 专利权人： 豪威科技股份有限公司
- 当前专利权人： 豪威科技股份有限公司
- 当前专利权人地址： 美国加利福尼亚州
- 代理机构： 北京律盟知识产权代理有限责任公司
- 代理人： 齐杨
- 优先权： 15/164,276 2016.05.25 US
- 主分类号： H01L27/146
- IPC分类号： H01L27/146
An image sensor for detecting light-emitting diode (LED) without flickering includes a pixel array with pixels. Each pixel including subpixels including a first and a second subpixel, dual floating diffusion (DFD) transistor, and a capacitor coupled to the DFD transistor. First subpixel includes a first photosensitive element to acquire a first image charge, and a first transfer gate transistor to selectively transfer the first image charge from the first photosensitive element to a first floating diffusion (FD) node. Second subpixel includes a second photosensitive element to acquire a second image charge, and a second transfer gate transistor to selectively transfer the second image charge from the second photosensitive element to a second FD node. DFD transistor coupled to the first and the second FD nodes. Other embodiments are also described.
公开/授权文献:
- CN107437552B 用于检测不闪烁发光二极管的系统及方法 公开/授权日：2019-07-26
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L27/00 | 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件 |
| --------H01L27/02 | .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的 |
| ----------H01L27/144 | ..由辐射控制的器件 |
| ------------H01L27/146 | ...图像结构 |