基本信息:
- 专利标题： 确定污染层厚或材料种类的方法、光学元件和EUV光刻系统
- 专利标题（英）：METHOD FOR DETERMINING THE THICKNESS OF A CONTAMINATING LAYER AND/OR THE TYPE OF CONTAMINATING MATERIAL, OPTICAL ELEMENT AND EUV-LITHOGRAPHY SYSTEM
- 申请号：CN201710236373.2 申请日：2017-04-12
- 公开(公告)号：CN107388976A 公开(公告)日：2017-11-24
- 发明人： I.阿门特 , M.贝克
- 申请人： 卡尔蔡司SMT有限责任公司
- 申请人地址： 德国上科亨
- 专利权人： 卡尔蔡司SMT有限责任公司
- 当前专利权人： 卡尔蔡司SMT有限责任公司
- 当前专利权人地址： 德国上科亨
- 代理机构： 北京市柳沈律师事务所
- 代理人： 侯宇
- 优先权： 102016206088.0 2016.04.12 DE
- 主分类号： G01B11/06
- IPC分类号： G01B11/06 ; G01N21/41
摘要：
本发明涉及一种用于确定光学系统中的表面(7)处、尤其在EUV光刻系统(101)中的表面(7)处的污染层(13)的厚度(d1,d2)和/或污染材料的种类的方法，该方法包括：用测量射线(10)来照射在其处形成有等离激元纳米颗粒(8a,b)的表面(7)，检测在所述等离激元纳米颗粒(8a,b)处散射的测量射线(10a)，以及借助所检测到的测量射线(10a)来确定污染层(13)的厚度(d1,d2)和/或污染材料的种类。本发明还涉及一种用于反射EUV射线(4)的光学元件(1)以及一种EUV光刻系统。
摘要（英）：
The invention relates to a method for determining the thickness of a contaminating layer and/or the type of a contaminating material on a surface (7) in an optical system, in particular on a surface (7) in an EUV lithography system, comprising: irradiating the surface (7) on which plasmonic nanoparticles (8a,b) are formed with measurement radiation (10), detecting the measurement radiation (10a) scattered at the plasmonic nanoparticles (8a,b), and determining the thickness of the contaminating layer and/or the type of the contaminating material on the basis of the detected measurement radiation (10a). The invention also relates to an optical element (1) for reflecting EUV radiation (4), and to an EUV lithography system.
公开/授权文献:
- CN107388976B 确定污染层厚或材料种类的方法、光学元件和EUV光刻系统 公开/授权日：2022-02-11
IPC结构图谱:
| G | 物理 |
| --G01 | 测量；测试 |
| ----G01B | 长度、厚度或类似线性尺寸的计量；角度的计量；面积的计量；不规则的表面或轮廓的计量 |
| ------G01B11/00 | 以采用光学方法为特征的计量设备 |
| --------G01B11/02 | .用于计量长度、宽度或厚度 |
| ----------G01B11/06 | ..用于计量厚度 |