基本信息:
- 专利标题： 基板处理装置和基板处理方法
- 申请号：CN201710087455.5 申请日：2017-02-17
- 公开(公告)号：CN107104065B 公开(公告)日：2021-11-12
- 发明人： 梶原正幸 , 安藤了至 , 正木洋一 , 稻田博一
- 申请人： 东京毅力科创株式会社
- 申请人地址： 日本东京都
- 专利权人： 东京毅力科创株式会社
- 当前专利权人： 东京毅力科创株式会社
- 当前专利权人地址： 日本东京都
- 代理机构： 北京尚诚知识产权代理有限公司
- 代理人： 龙淳
- 优先权： 2016-030347 20160219 JP
- 主分类号： H01L21/67
- IPC分类号： H01L21/67 ; H01J37/32 ; H01J37/305
摘要：
本发明提供一种在通过共用的排气通路对产生包含附着成分的气氛的多个基板处理部的气氛进行排气时，能够可靠地检测每个基板处理部的独立排气通路的异常的技术。在利用排气能力设备通过共用排气通路(60)对在晶片(W)进行抗蚀剂涂敷的多个抗蚀剂涂敷单元(10A～10D)排气时，测定每个抗蚀剂涂敷单元(10A～10D)的独立排气管(50A～50D)的排气压力与共用排气通路(60)的排气压力，比较各测定值与对应的容许压力范围。因此，能够可靠地检测出独立排气管(50A～50D)中的附着物的堵塞等的异常。
公开/授权文献:
- CN107104065A 基板处理装置和基板处理方法 公开/授权日：2017-08-29
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/67 | .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置 |