基本信息:
- 专利标题： 基板处理装置和基板处理方法
- 专利标题（英）：Substrate processing apparatus and substrate processing method
- 申请号：CN201710087455.5 申请日：2017-02-17
- 公开(公告)号：CN107104065A 公开(公告)日：2017-08-29
- 发明人： 梶原正幸 , 安藤了至 , 正木洋一 , 稻田博一
- 申请人： 东京毅力科创株式会社
- 申请人地址： 日本东京都
- 专利权人： 东京毅力科创株式会社
- 当前专利权人： 东京毅力科创株式会社
- 当前专利权人地址： 日本东京都
- 代理机构： 北京尚诚知识产权代理有限公司
- 代理人： 龙淳
- 优先权： 2016-030347 20160219 JP
- 主分类号： H01L21/67
- IPC分类号： H01L21/67 ; H01J37/32 ; H01J37/305
The present invention provides a technique for reliably detecting an abnormality of an independent exhaust passage of each of the substrate processing sections when exhausting an atmosphere of a plurality of substrate processing sections for generating an atmosphere containing an adhering component through a common exhaust passage. When the plurality of resist coating units (10A to 10D) via which the resist is applied to the wafer (W) are subjected to exhausting operation via the common exhaust passage (60) through use of the exhaust capacity device, exhaust pressure of the common exhaust passage (60) of each of the independent exhaust pipes (50A to 50D) is detected, the measured values are compared with the corresponding allowable pressure ranges. Therefore, it is possible to reliably detect abnormalities such as clogging of the adherends in the independent exhaust pipes (50A to 50D).
公开/授权文献:
- CN107104065B 基板处理装置和基板处理方法 公开/授权日：2021-11-12
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/67 | .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置 |