基本信息:
- 专利标题： 一种二硫化钼/硫化铜/氧化亚铜纳米复合材料的制备方法
- 申请号：CN201710290479.0 申请日：2017-04-25
- 公开(公告)号：CN107089683B 公开(公告)日：2019-02-15
- 发明人： 刘鑫桐 , 史召邑 , 胡陈力 , 周冬 , 袁洪涛 , 梁培 , 舒海波
- 申请人： 中国计量大学
- 申请人地址： 浙江省杭州市江干区学源街258号
- 专利权人： 中国计量大学
- 当前专利权人： 中国计量大学
- 当前专利权人地址： 浙江省杭州市江干区学源街258号
- 主分类号： C01G39/06
- IPC分类号： C01G39/06 ; B82Y30/00 ; B82Y40/00 ; C01G3/02 ; H01L31/0328 ; B01J27/051
摘要：
本发明公开了一种二硫化钼/硫化铜/氧化亚铜纳米复合材料的制备方法，将氧化铜加入去离子水搅拌形成混合物，而后加入二水钼酸钠、硫脲和CTAB，之后将样品在水热温度为220℃下保温24h，之后采用去离子水和乙醇洗涤产物五次，并将产物置于真空干燥箱以60℃的温度干燥，得到空心微球状的二硫化钼/硫化铜/氧化亚铜纳米复合材料。利用水热法制备的二硫化钼/硫化铜/氧化亚铜复合材料具有制备工艺简单、材料结晶性好，样品均一度高等特点。形成的纳米复合结构具有半导体异质结特性，能够抑制光生电子‑空穴的复合和促进电子‑空穴的分离的作用，因此在光催化和光伏电池领域有着广泛的应用前景。
公开/授权文献:
- CN107089683A 一种二硫化钼/硫化铜/氧化亚铜纳米复合材料的制备方法 公开/授权日：2017-08-25