基本信息:
- 专利标题： 半导体装置以及半导体装置的制造方法
- 申请号：CN201510854664.9 申请日：2015-11-30
- 公开(公告)号：CN106206505B 公开(公告)日：2020-06-09
- 发明人： 小木曾浩二 , 村上和博 , 右田达夫
- 申请人： 东芝存储器株式会社
- 申请人地址： 日本东京
- 专利权人： 东芝存储器株式会社
- 当前专利权人： 东芝存储器株式会社
- 当前专利权人地址： 日本东京
- 代理机构： 北京律盟知识产权代理有限责任公司
- 代理人： 张世俊
- 优先权： 2015-110601 20150529 JP
- 主分类号： H01L23/482
- IPC分类号： H01L23/482 ; H01L23/498 ; H01L21/60
摘要：
本发明的实施方式提供一种能够谋求厚度方向上的小型化的半导体装置以及半导体装置的制造方法。实施方式的半导体装置具备第1基板、铝垫、第1镍电极、第2基板、第2镍电极以及连接层。第1基板的内部具有配线。铝垫设置在第1基板的表层内，并与配线连接。第1镍电极是一部分埋设在第1基板中并与铝垫连接，并且顶面从第1基板的表面突出。第2基板积层于第1基板。第2镍电极是一部分埋设在第2基板中，并且顶面从第2基板的第1基板侧的表面突出。连接层由含锡的合金形成，将第1镍电极及第2镍电极之间连接。
公开/授权文献:
- CN106206505A 半导体装置以及半导体装置的制造方法 公开/授权日：2016-12-07
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L23/00 | 半导体或其他固态器件的零部件 |
| --------H01L23/34 | .冷却装置；加热装置；通风装置或温度补偿装置 |
| ----------H01L23/482 | ..由不可拆卸地施加到半导体本体上的内引线组成的 |