基本信息:
- 专利标题： 一种基于二氧化硅隧道结的阻变存储器及其制备方法
- 申请号：CN201610388193.1 申请日：2016-06-02
- 公开(公告)号：CN106025066B 公开(公告)日：2018-11-20
- 发明人： 闫小兵 , 周振宇 , 赵建辉 , 张园园
- 申请人： 河北大学
- 申请人地址： 河北省保定市北市区五四东路180号河北大学
- 专利权人： 河北大学
- 当前专利权人： 河北大学
- 当前专利权人地址： 河北省保定市北市区五四东路180号河北大学
- 代理机构： 石家庄国域专利商标事务所有限公司
- 代理人： 白海静
- 主分类号： H01L45/00
- IPC分类号： H01L45/00
摘要：
本发明公开了一种基于二氧化硅隧道结的阻变存储器，其是在高导Si衬底上制有SiO2隧穿层，并在所述SiO2隧穿层上制有TiN电极膜层。并且，本发明还公开了该阻变存储器的制备方法，其包括如下步骤：A、将高导Si衬底进行清洗处理并吹干，备用；B、将备用的高导Si衬底放入热氧化生长炉中并通入氧气，于600±5℃条件下退火分钟，形成SiO2隧穿层；C、在形成的SiO2隧穿层上溅射TiN电极膜层。本发明的存储器的高、低阻态阻值分布集中，且高电阻值和低电阻值之间相差较大。而且，该阻变存储器具有明显的开关效应，再有，该阻变存储器在高阻态和低阻态下的抗疲劳特性均比较优异，具有良好的应用前景。
公开/授权文献:
- CN106025066A 一种基于二氧化硅隧道结的阻变存储器及其制备方法 公开/授权日：2016-10-12