基本信息:
- 专利标题： 针对离子注入系统的降低轨迹金属污染的离子源
- 专利标题（英）：Reduced trace metals contamination ion source for an ion implantation system
- 申请号：CN201480068636.8 申请日：2014-12-19
- 公开(公告)号：CN105900208A 公开(公告)日：2016-08-24
- 发明人： 谢泽仁 , 奈尔·卡尔文
- 申请人： 艾克塞利斯科技公司
- 申请人地址： 美国马萨诸塞州
- 专利权人： 艾克塞利斯科技公司
- 当前专利权人： 艾克塞利斯科技公司
- 当前专利权人地址： 美国马萨诸塞州
- 代理机构： 中科专利商标代理有限责任公司
- 代理人： 周泉
- 优先权： 14/135,754 2013.12.20 US
- 国际申请： PCT/US2014/071464 2014.12.19
- 国际公布： WO2015/095692 EN 2015.06.25
- 进入国家日期： 2016-06-16
- 主分类号： H01J37/08
- IPC分类号： H01J37/08 ; H01J37/317
An ion source chamber (120) for an ion implantation system is disclosed and includes a housing that at least partially bounds an ionization region through which high energy electrons move from a cathode (124) to ionize gas molecules injected into an inferior of the housing; a liner section (133, 135, 137, 139) defining one or more interior walls of the housing interior, wherein each liner section includes a interiorly facing surface exposed to the ionization region during operation the ion implantation system; a cathode shield (153) disposed about the cathode; a repeller (180) spaced apart from the cathode; a plate (128) including a source aperture (126) for discharging ions from the ion source chamber; wherein at least one of the repeller, the liner section, the cathode shield; the plate, or an insert in the plate defining the source aperture comprise silicon carbide, wherein the silicon carbide is a non-stoichiometric sintered material of the formula SiCx having excess carbon.
公开/授权文献:
- CN105900208B 针对离子注入系统的降低轨迹金属污染的离子源 公开/授权日：2018-07-10
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01J | 放电管或放电灯 |
| ------H01J37/00 | 有把物质或材料引入使受到放电作用的结构的电子管,如为了对其检验或加工的 |
| --------H01J37/02 | .零部件 |
| ----------H01J37/04 | ..电极装置及与产生或控制放电的部件有关的装置，如电子光学装置，离子光学装置 |
| ------------H01J37/08 | ...离子源；离子枪 |