基本信息:
- 专利标题： 基板处理装置及基板处理方法
- 申请号：CN201480070510.4 申请日：2014-12-10
- 公开(公告)号：CN105849864B 公开(公告)日：2019-07-30
- 发明人： 诸成泰 , 张吉淳 , 尹畅焄 , 金劲勋
- 申请人： 株式会社EUGENE科技
- 申请人地址： 韩国京畿道龙仁市处仁区阳智面秋溪路42
- 专利权人： 株式会社EUGENE科技
- 当前专利权人： 株式会社EUGENE科技
- 当前专利权人地址： 韩国京畿道龙仁市处仁区阳智面秋溪路42
- 代理机构： 北京纽盟知识产权代理事务所
- 代理人： 许玉顺
- 优先权： 10-2014-0000563 2014.01.03 KR
- 国际申请： PCT/KR2014/012124 2014.12.10
- 国际公布： WO2015/102256 KO 2015.07.09
- 进入国家日期： 2016-06-23
- 主分类号： H01L21/205
- IPC分类号： H01L21/205
Provided is a substrate processing apparatus. The substrate processing apparatus includes a lower chamber having an opened upper side, an upper chamber opening or closing the upper side of the lower chamber, the upper chamber defining an inner space, in which a process is performed on a substrate, together with the lower chamber, a showerhead disposed on a lower portion of the upper chamber to supply a reaction gas toward the inner space, wherein a buffer space is defined between the showerhead and the upper chamber, a partition member disposed in the buffer space to partition the buffer space into a plurality of diffusion regions, and a plurality of gas supply ports disposed in the upper chamber to supply the reaction gas toward each of the diffusion regions.
公开/授权文献:
- CN105849864A 基板处理装置及基板处理方法 公开/授权日：2016-08-10
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/20 | ....半导体材料在基片上的沉积，例如外延生长 |
| ----------------H01L21/205 | .....应用气态化合物的还原或分解产生固态凝结物的，即化学沉积 |