基本信息:
- 专利标题： 借助于等温凝固反应来连接接合配对件以形成In-Bi-Ag 连接层的方法和接合配对件的相应装置
- 申请号：CN201480018514.8 申请日：2014-03-24
- 公开(公告)号：CN105103287B 公开(公告)日：2018-03-23
- 发明人： 安德烈亚斯·普洛斯尔
- 申请人： 欧司朗光电半导体有限公司
- 申请人地址： 德国雷根斯堡
- 专利权人： 欧司朗光电半导体有限公司
- 当前专利权人： 欧司朗光电半导体有限公司
- 当前专利权人地址： 德国雷根斯堡
- 代理机构： 北京集佳知识产权代理有限公司
- 代理人： 丁永凡; 李德山
- 优先权： 102013103081.5 2013.03.26 DE
- 国际申请： PCT/EP2014/055848 2014.03.24
- 国际公布： WO2014/154637 DE 2014.10.02
- 进入国家日期： 2015-09-25
- 主分类号： H01L23/62
- IPC分类号： H01L23/62 ; H01L21/60 ; H01L23/488
A method is provided for connecting parts to be joined. A first layer sequence is applied to a first part to be joined. The first layer sequence contains silver. A second layer sequence is applied to a second part to be joined. The second layer sequence contains indium and bismuth. The first layer sequence and the second layer sequence are pressed together at their end faces respectively remote from the first part to be joined and the second part to be joined through application of a joining pressure at a joining temperature which amounts to at most 120° C. for a predetermined joining time. The first layer sequence and the second layer sequence fuse together to form a bonding layer which directly adjoins the first part to be joined and the second part to be joined and the melting temperature of which amounts to at least 260° C.
公开/授权文献:
- CN105103287A 借助于等温凝固反应来连接接合配对件以形成In-Bi-Ag连接层的方法和接合配对件的相应装置 公开/授权日：2015-11-25
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L23/00 | 半导体或其他固态器件的零部件 |
| --------H01L23/552 | .防辐射保护装置，例如光 |
| ----------H01L23/62 | ..防过电流或过电负荷保护装置，例如熔丝、分路器 |