基本信息:
- 专利标题： 具有经改进金属接触的功率MOS晶体管
- 专利标题（英）：POWER MOS TRANSISTOR WITH IMPROVED METAL CONTACT
- 申请号：CN201480003825.7 申请日：2014-02-24
- 公开(公告)号：CN104937714A 公开(公告)日：2015-09-23
- 发明人： 格雷戈里·迪克斯 , 哈罗德·克兰 , 丹·格里姆 , 罗杰·迈尔奇 , 雅各布·L·威廉斯
- 申请人： 密克罗奇普技术公司
- 申请人地址： 美国亚利桑那州
- 专利权人： 密克罗奇普技术公司
- 当前专利权人： 密克罗奇普技术公司
- 当前专利权人地址： 美国亚利桑那州
- 代理机构： 北京律盟知识产权代理有限责任公司
- 代理人： 沈锦华
- 优先权： 13/784,723 2013.03.04 US
- 国际申请： PCT/US2014/018034 2014.02.24
- 国际公布： WO2014/137644 EN 2014.09.12
- 进入国家日期： 2015-06-30
- 主分类号： H01L23/522
- IPC分类号： H01L23/522 ; H01L29/78
A power MOS field effect transistor (FET) has a plurality of transistor cells, each cell having a source region and a drain region to be contacted through a surface of a silicon wafer die. A first dielectric layer is disposed on the surface of the silicon wafer die and a plurality of grooves are formed in the first dielectric layer above the source regions and drain regions, respectively and filled with a conductive material. A second dielectric layer is disposed on a surface of the first dielectric layer and has openings to expose contact areas to said grooves. A metal layer is disposed on a surface of the second dielectric layer and filling the openings, wherein the metal layer is patterned and etched to form separate metal wires connecting each drain region and each source region of the plurality of transistor cells, respectively through the grooves.
公开/授权文献:
- CN104937714B 具有经改进金属接触的功率MOS晶体管 公开/授权日：2018-06-22
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L23/00 | 半导体或其他固态器件的零部件 |
| --------H01L23/34 | .冷却装置；加热装置；通风装置或温度补偿装置 |
| ----------H01L23/522 | ..包含制作在半导体本体上的多层导电的和绝缘的结构的外引互连装置的 |