基本信息:
- 专利标题： 肖特基势垒二极管及其制造方法
- 申请号：CN201410484433.9 申请日：2014-09-19
- 公开(公告)号：CN104752522B 公开(公告)日：2019-04-09
- 发明人： 千大焕 , 洪坰国 , 李钟锡 , 朴正熙 , 郑永均
- 申请人： 现代自动车株式会社
- 申请人地址： 韩国首尔
- 专利权人： 现代自动车株式会社
- 当前专利权人： 现代自动车株式会社
- 当前专利权人地址： 韩国首尔
- 代理机构： 北京尚诚知识产权代理有限公司
- 代理人： 龙淳; 张微
- 优先权： 10-2013-0167807 2013.12.30 KR
- 主分类号： H01L29/872
- IPC分类号： H01L29/872 ; H01L29/06 ; H01L21/329
摘要：
本发明涉及一种肖特基势垒二极管及其制造方法，该肖特基势垒二极管包括：n‑型外延层，布置在n+型碳化硅基板的第一表面上；第一p+区，布置在n‑型外延层上；n型外延层，布置在n‑型外延层和第一p+区上；第二p+区，布置在n型外延层上，并且与第一p+区相接触；肖特基电极，布置在n型外延层和第二p+区上；以及欧姆电极，布置在n+碳化硅基板的第二表面上，其中第一p+区具有栅格形状，其包括多个垂直部以及将各个垂直部的两端彼此连接的水平部，垂直部包括多个具有类六边形的第一部、多个连接各个第一部的第二部、以及多个连接第一部和水平部的第三部，并且第二部和第三部被定形为类杆状。
公开/授权文献:
- CN104752522A 肖特基势垒二极管及其制造方法 公开/授权日：2015-07-01
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L29/00 | 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件 |
| --------H01L29/02 | .按其半导体本体的特征区分的 |
| ----------H01L29/86 | ..只能通过对一个或多个通有待整流，放大、振荡或切换的电流的电极供给电流的变化或施加电位的变化方可进行控制的 |
| ------------H01L29/861 | ...二极管 |
| --------------H01L29/872 | ....肖特基二极管 |