基本信息:
- 专利标题： 发光器件及照明系统
- 申请号：CN201410259008.X 申请日：2014-06-11
- 公开(公告)号：CN104241469B 公开(公告)日：2018-11-23
- 发明人： 文用泰 , 林贤哲
- 申请人： LG伊诺特有限公司
- 申请人地址： 韩国首尔
- 专利权人： LG伊诺特有限公司
- 当前专利权人： 苏州乐琻半导体有限公司
- 当前专利权人地址： 韩国首尔
- 代理机构： 北京集佳知识产权代理有限公司
- 代理人： 杜诚; 陈炜
- 优先权： 10-2013-0066663 20130611 KR
- 主分类号： H01L33/06
- IPC分类号： H01L33/06 ; H01L33/32 ; H01L33/20
摘要：
公开了一种发光器件及照明系统。该发光器件包括：第一导电半导体层(112)；在第一导电半导体层(112)上的包括量子阱(114w)和量子势垒(114b)的有源层(114)；在有源层(114)上的无掺杂最后势垒层(127)；在无掺杂最后势垒层(127)上的AlxInyGa(1‑x‑y)N(0≤x≤1，0≤y≤1)基层(128)；以及在AlxInyGa(1‑x‑y)N基层(128)上的第二导电半导体层(116)。
摘要（英）：
Disclosed are light emitting device, a method of manufacturing the same, a light emitting device package, and a lighting system. The light emitting device includes a first conductive semiconductor layer (112); an active layer (114) including a quantum well (114w) and a quantum barrier (114b) on the first conductive semiconductor layer (112); an undoped last barrier layer (127) on the active layer (114); an Al x In y Ga (1-x-y) N(0‰¤x‰¤1, 0‰¤y‰¤1)-based layer (128) on the undoped last barrier layer (127); and a second conductive semiconductor layer (116) on the Al x In y Ga (1-x-y) N-based layer (128).
公开/授权文献:
- CN104241469A 发光器件及照明系统 公开/授权日：2014-12-24