基本信息:
- 专利标题： 半导体装置以及用于制造该半导体装置的方法
- 专利标题（英）：Semiconductor Device And Method For Fabricating The Same
- 申请号：CN201410066498.1 申请日：2014-02-26
- 公开(公告)号：CN104037229A 公开(公告)日：2014-09-10
- 发明人： 姜守昶 , 金荣载
- 申请人： 美格纳半导体有限公司
- 申请人地址： 韩国忠清北道清州市
- 专利权人： 美格纳半导体有限公司
- 当前专利权人： 美格纳半导体有限公司
- 当前专利权人地址： 韩国忠清北道清州市
- 代理机构： 北京铭硕知识产权代理有限公司
- 代理人： 尹淑梅; 韩芳
- 优先权： 10-2013-0023548 2013.03.05 KR
- 主分类号： H01L29/78
- IPC分类号： H01L29/78 ; H01L29/10 ; H01L21/336
摘要：
本发明提供了一种半导体装置以及用于制造该半导体装置的方法。所述半导体装置包括：沟槽，设置在基底内，沟槽包括宽度比下沟槽部分的宽度宽的上沟槽部分；栅极，设置在沟槽中；层间绝缘层图案，设置在上沟槽部分中的栅极上；源极区域，设置在基底内并且接触上沟槽部分的侧壁；主体区域，设置在基底中的源极区域的下面；以及接触沟槽，设置在主体区域的上面并且填充有导电材料。
摘要（英）：
A semiconductor device and a fabricating method thereof are provided. The semiconductor device includes: a trench disposed within a substrate, the trench comprising an upper trench part that is wider than a lower trench part in width; a gate disposed in the trench; an interlayer insulating layer pattern disposed above the gate in the upper trench part; a source region disposed within the substrate and contacting a sidewall of the upper trench part; a body region disposed below the source region in the substrate; and a contact trench disposed above the body region and filled with a conductive material.
公开/授权文献:
- CN104037229B 半导体装置以及用于制造该半导体装置的方法 公开/授权日：2017-07-21
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L29/00 | 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件 |
| --------H01L29/02 | .按其半导体本体的特征区分的 |
| ----------H01L29/68 | ..只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的 |
| ------------H01L29/70 | ...双极器件 |
| --------------H01L29/762 | ....电荷转移器件 |
| ----------------H01L29/78 | .....由绝缘栅产生场效应的 |