基本信息:
- 专利标题： 一种场终止型IGBT器件的制造方法
- 申请号：CN201310385233.3 申请日：2013-08-30
- 公开(公告)号：CN103594356B 公开(公告)日：2017-10-17
- 发明人： 高文玉 , 刘隽 , 王耀华 , 刘钺杨 , 刘江 , 于坤山 , 张宇 , 包海龙 , 车家杰
- 申请人： 国家电网公司 , 国网智能电网研究院 , 国网上海市电力公司
- 申请人地址： 北京市西城区西长安街86号; ;
- 专利权人： 国家电网公司,国网智能电网研究院,国网上海市电力公司
- 当前专利权人： 国家电网公司,国网智能电网研究院,国网上海市电力公司
- 当前专利权人地址： 北京市西城区西长安街86号; ;
- 代理机构： 北京安博达知识产权代理有限公司
- 代理人： 徐国文
- 主分类号： H01L21/331
- IPC分类号： H01L21/331
摘要：
本发明涉及半导体器件技术领域的制造方法，具体涉及一种场终止型IGBT器件的制造方法。该方法包括下述步骤：选择N型掺杂FZ单晶硅片，厚度根据电压等级确定；从硅片背面离子注入磷杂质并实施高温退火，形成厚度15～70um和掺杂浓度2×1013～2×1015/cm3的N型掺杂缓冲层；腐蚀掉背面保护层，采用腐蚀或喷砂方法将背面打毛，形成吸杂源；去除正面保护层，在硅片正面进行IGBT元胞区的制作；从硅片背面研磨5～30um厚度的硅衬底，背面再腐蚀～2um厚度，留下厚度10～65um的N型缓冲层作为场终止区；完成背面集电极区的制作。本发明不需要昂贵的高能离子注入设备或外延设备可形成10～65um的场终止区，适合1700～6500V场终止型IGBT器件制造。
公开/授权文献:
- CN103594356A 一种场终止型IGBT器件的制造方法 公开/授权日：2014-02-19
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/26 | ....用波或粒子辐射轰击的 |
| ----------------H01L21/33 | .....包括3个或更多电极的器件 |
| ------------------H01L21/331 | ......晶体管 |