基本信息:
- 专利标题： 用于背照式图像传感器的装置和方法
- 专利标题（英）：Apparatus and method for backside illuminated image sensor
- 申请号：CN201210553121.X 申请日：2012-12-18
- 公开(公告)号：CN103515401A 公开(公告)日：2014-01-15
- 发明人： 陈思莹 , 王子睿 , 刘人诚 , 杨敦年 , 刘丙寅 , 赵兰璘
- 申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
- 申请人地址： 中国台湾新竹
- 专利权人： 台湾积体电路制造股份有限公司
- 当前专利权人： 台湾积体电路制造股份有限公司
- 当前专利权人地址： 中国台湾新竹
- 代理机构： 北京德恒律治知识产权代理有限公司
- 代理人： 章社杲; 孙征
- 优先权： 13/524,757 2012.06.15 US
- 主分类号： H01L27/146
- IPC分类号： H01L27/146
摘要：
一种背照式图像传感器包括位于第一衬底中的光电二极管以及第一晶体管，其中第一晶体管电连接至光电二极管。背照式图像传感器进一步包括形成在第二衬底中的多个逻辑电路，其中第二衬底堆叠在第一衬底上并且逻辑电路通过多个接合焊盘连接至第一晶体管。本发明还提供了用于背照式图像传感器的装置和方法。
摘要（英）：
A backside illuminated image sensor comprises a photodiode and a first transistor located in a first substrate, wherein the first transistor is electrically coupled to the photodiode. The backside illuminated image sensor further comprises a plurality of logic circuits formed in a second substrate, wherein the second substrate is stacked on the first substrate and the logic circuit are coupled to the first transistor through a plurality of bonding pads. The invention also provides an apparatus and a method for the backside illuminated image sensor.
公开/授权文献:
- CN103515401B 用于背照式图像传感器的装置和方法 公开/授权日：2016-09-07
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L27/00 | 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件 |
| --------H01L27/02 | .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的 |
| ----------H01L27/144 | ..由辐射控制的器件 |
| ------------H01L27/146 | ...图像结构 |