基本信息:
- 专利标题： 将基于镍或钴的金属层沉积在半导体固体衬底上的方法以及用来应用该方法的试剂盒
- 申请号：CN201280021089.9 申请日：2012-04-18
- 公开(公告)号：CN103502509B 公开(公告)日：2015-11-25
- 发明人： 文森特·梅费里克 , 多米尼克·祖尔
- 申请人： 埃其玛公司
- 申请人地址： 法国梅西
- 专利权人： 埃其玛公司
- 当前专利权人： 埃其玛公司
- 当前专利权人地址： 法国梅西
- 代理机构： 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司
- 代理人： 杨国强; 张淑珍
- 优先权： 1153843 2011.05.05 FR
- 国际申请： PCT/EP2012/057085 2012.04.18
- 国际公布： WO2012/150133 EN 2012.11.08
- 进入国家日期： 2013-10-29
- 主分类号： C23C18/32
- IPC分类号： C23C18/32
摘要：
本发明涉及旨在使镍或钴在半导体衬底的空腔中沉积的试剂盒，所述空腔旨在形成用于制造三维集成电路中的互连线的硅通孔（TSV）。本发明还涉及使此类衬底的绝缘表面金属化的方法，该方法包括使所述表面与液态水溶液接触，该液态水溶液含有：镍或钴的至少一种金属盐；至少一种还原剂；至少一种具有胺官能团的聚合物；以及至少一种金属离子稳定剂。所获得的镍层或钴层的台阶覆盖率可大于80%，从而有利于随后通过电沉积用铜对通孔进行填充。
公开/授权文献:
- CN103502509A 将基于镍或钴的金属层沉积在半导体固体衬底上的方法以及用来应用该方法的试剂盒 公开/授权日：2014-01-08