基本信息:
- 专利标题： 半导体器件及其制造方法
- 申请号：CN201310127417.X 申请日：2013-04-12
- 公开(公告)号：CN103456621B 公开(公告)日：2016-03-23
- 发明人： 大和田保 , 大平光 , 落水洋聪
- 申请人： 富士通半导体股份有限公司
- 申请人地址： 日本神奈川县横滨市
- 专利权人： 富士通半导体股份有限公司
- 当前专利权人： 富士通半导体股份有限公司
- 当前专利权人地址： 日本神奈川县横滨市
- 代理机构： 隆天知识产权代理有限公司
- 代理人： 张浴月; 李玉锁
- 优先权： 2012-122047 2012.05.29 JP
- 主分类号： H01L21/31
- IPC分类号： H01L21/31 ; H01L21/3105 ; H01L29/06
摘要：
一种半导体器件及其制造方法，该方法包括：在第一半导体衬底上形成第一电极；采用绝缘材料涂敷该半导体衬底，该绝缘材料在第一温度处具有第一粘度，在高于该第一温度的第二温度处具有低于该第一粘度的第二粘度，在高于该第二温度的第三温度处具有高于该第二粘度的第三粘度；以及通过固化该绝缘材料形成第一绝缘膜。在该方法中，形成第一绝缘膜包括：通过在第一条件下加热绝缘材料，使绝缘材料达到第二粘度；以及通过在第二温度下加热绝缘材料，使绝缘材料达到第三粘度。第一条件和第二条件的升温速度不同。本发明在每个突起部的底部保留了厚钝化膜以缓解其受到的损害。
公开/授权文献:
- CN103456621A 半导体器件及其制造方法 公开/授权日：2013-12-18
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/26 | ....用波或粒子辐射轰击的 |
| ----------------H01L21/31 | .....在半导体材料上形成绝缘层的，例如用于掩膜的或应用光刻技术的；以及这些层的后处理；这些层的材料的选择 |